台积电将在美国工厂生产3纳米(nm)芯片

　　本周一,台积电创始人张忠谋对媒体证实,该公司已经“差不多敲定”,计划在位于美国亚利桑那州的新工厂生产3纳米(nm)芯片。

　　作为全球最大的芯片代工厂,台积电正在美国亚利桑那州建设一座价值120亿美元的工厂。台积电此前曾透露,亚利桑那州工厂建成后采用5nm制程工艺,预计2024年投产,每月将量产2万片晶圆。

　　不过近期,市场有传闻猜测,台积电将推动这座亚利桑那工厂扩产,未来很可能将其技术升级到3nm工艺。

　　本周一,台积电创始人张忠谋对媒体证实了这一消息。

　　当被媒体问及“台积电目前最先进的3纳米芯片技术是否有可能转移到别的国家,例如美国？”时,张忠谋回答：“对。”

　　他接着补充道：“台积电目前有一个3纳米芯片的计划,不过还没有完全敲定,应该说是差不多敲定。”

　　他透露,3纳米工厂和5纳米工厂将位于亚利桑那州的同一个地点,“这个项目几乎已经敲定——在亚利桑那州的同一个地点。5纳米是phase 1（第一阶段）,3纳米是phase 2（第二阶段）。”

　　台积电在亚利桑那的工厂目前已经基本建设完成,将于12月6日举行“移机典礼”。张忠谋透露,届时台积电的客户、供应商以及美国商务部长雷蒙多都将出席。此外,美国总统拜登也受到了邀请,但尚不确定拜登是否会出席。

　　台积电目前在美国已经有一座制造工厂,即华盛顿州Camas的晶圆十一厂,不过这里仅是8寸晶圆,采用工艺为28nm及以上制程。亚利桑那工厂将是台积电在美国的第二个生产基地。