功率器件分析仪功率半导体测试设备认准武汉生产厂家普赛斯仪表,普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在i-v测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于广泛应用于半导体测试行业； 本功率器件静态参数测试系统可以完成多项参数测试,如ices、igesf、igesr、bvces、vgeth、vcesat、vf等。

 功率器件静态测试系统简介  普赛斯pmst功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件（如mosfet、bjt、igbt以及sic、gan第三代半导体等）的静态参数,具有高电压和大 电流特性、μω级j确测量、na级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容  、反向传输电容等。  普赛斯pmst功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法       灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

系统组成 

普赛斯pmst功率器件静态参数测试系统,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设置不同的电压、电流等参数,以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出,并可生成i-v以及c-v特性曲线。此外,测试主机可与探针台搭配使用,实现晶圆级芯片测试；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。 测试主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1％。其中,栅极-发射极,最 大 支持30v@10a脉冲电流输出与测试,可测试低至pa级漏电流；集电极-发射极,最 大 支持6000a高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能；最 高支持3500v电压输出,且自带漏电流测量功能。电容特性测试,包括输入电容,输出电容,以及反向传输电容测试,频率最 高支持1mhz。   

系统特点 

高电压：支持高达3.5kv高电压测试（z大 扩展至10kv）；        

大 电流：支持高达6ka大 电流测试（多模块并联）；

高精度：支持uω级导通电阻、na级漏电流测试；

丰富模板：内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数；

配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；

数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出；

模块化设计：内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护；

可拓展：支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度；

可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

测试项目

集电极-发射极电压vces,集电极-发射极击穿电压v(br)ces、集电极-发射极饱和电压vcesat

集电极截止电流ices、栅极漏电流iges

栅极-发射极电压vges、栅极-发射极阈值电压vge(th)

输入电容、输出电容、反向传输电容            

续流二极管压降vf

i-v特性曲线扫描,c-v特性曲线扫描等