手机号
未认证执照
常昊(先生)
普通会员
常昊 (先生)
这两个概念主要出现在半导体加工过程中,最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(cmp chemical mechanical polishing )取代了旧的方法。cmp技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,完美性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。
制作步骤
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等,对硅单晶片化学机械抛光(cmp)机理、动力学控制过程和影响因素 研究标明,化学机械抛光是一个复杂的多相反应,它存在着两个动力学过程:
(1)抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂 、催化剂 等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。
(2)抛光表面反应物脱离硅单晶表面,即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。
硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。室温常温储存有效期一年。��可迅速直接杀死细菌,使其丧失繁殖能力,因此,无法生产耐药性的下一代,能有效避免因耐药性而导致反复发作久治不愈。
联系人 | 需求数量 | 时间 | 描述 |
---|---|---|---|
暂无产品询价记录 |
采购商 | 成交单价(元) | 数量 | 成交时间 |
---|---|---|---|
暂无购买记录 |
地区:成都
主营产品:电磁阀,气缸,过滤器地区:北京
主营产品:演播室工程,移动导播系统,非线性编辑系统等地区:廊坊
主营产品:富卓液压,施罗德液压,海普洛液压地区:武汉
主营产品:洪山公司注册,洪山注册公司,洪山代理记账