Intel第三代3D闪存固态盘曝光

图中,Intel介绍,最左边是2016年的第一代1TB 3D闪存SSD,中间是第二代,右边是明年的第三代,显然,他们分别代表2.5寸SATA3、M.2和BGA封装

东芝全新UFS2.1闪存 具备900MB/s速度

速度方面，满足UFS2.1标准，64GB的典型读取速度900MB/s、写入速度180MB/s

东芝全球首发QLC闪存：寿命与TLC一样耐用

QLC闪存由于采用了四比特设计,每个单元内都有多达16种不同的电压状态,相比TLC又翻了一番,而且又不能把单元面积做的太大,因此控制难度急剧增大

韩国3D NAND闪存三季度有望占全球一半市场

三星电子去年四季度在全球NAND闪存市场占有率为37.1%,排名第一,SK海力士以9.6%排名第五,东芝（18.3%）、西部数据（17.7%）和美光（10.6%）分别位列第二至第四

IBM发布“相变存储”技术：比现有闪存快70倍

相变存储技术结合了DRAM和闪存的优点。DRAM的存取速度是相变存储的5到10倍,但相变存储的存取速度是闪存的约70倍

东芝计划投资3600亿日元建设3D闪存新厂房

为扩大3D闪存“BiCS FLASH TM”的生产,东芝在毗邻日本四日市工厂(三重县四日市市)的区域建造新厂房以及引进生产设备的投资方案已获得董事会批准

SanDisk发布200GB闪存卡