三星、美光存储芯片涨价15%-20%

　　预计二季度起将全面反映DRAM涨势。

　　据台湾电子时报报道,存储器模块业者传出,三星电子、美光等存储器大厂,正规划今年第一季将DRAM价格调涨15%-20%,从1月起执行,借此催促客户提前规划未来使用需求量。已有厂商透露收到三星的涨价预告。

　　业界人士称,上游原厂涨价焦点将从NAND转移至DRAM,DDR4、DDR5有望成下一波调涨重点,以加速改善营运亏损。至于DDR3,其产能及需求相对稳定,预计涨幅相对平缓。

　　业界预期,随着上游原厂酝酿提价DRAM,多家存储器模块业者各自收到风声启动备货,预计供货给OEM厂的合约价可望延后一个季度跟进,即二季度起将全面反映DRAM涨势。

　　存储芯片市场以DRAM和NAND Flash为主,此前NAND Flash的价格从2023年下半年一路上涨,而DRAM报价涨幅较少,2023年12月DRAM报价仅微幅调涨2%-3%,明显低于3D TLC NAND约10%的涨幅。

　　对于上游原厂计划在一季度启动DRAM补涨行情,存储器模块业者表示并不意外,目前市场需求尚未恢复稳定,DRAM报价调涨仍然由上游原厂主导,行业已有预期,近月来已陆续回补低价库存。

　　至于未来DRAM涨幅能否如同NAND Wafer强劲攀升,仍需观察后续市场需求。报道称,终端市场仍存在观望气氛,前两个季度的市场表现非常关键,若主要应用出海口需求顺利衔接,存储器前景才会比较确定。

　　供给方面,业界指出,无论是DRAM或是NAND,2023年Q4上游供货状况并不紧缺,“前提是要能够接受原厂提出的价格,只要价格对了,原厂都有货可以卖。”

　　这一背景下,削减产能仍然是原厂重要的保价策略。2023年下半年,韩系DRAM大厂一直在降低DRAM稼动率,同时逐步增加高端制程的产出,以三星为例,2023年Q4 DRAM产出仅占2023年Q1的七成左右。

　　据了解,2024年Q1 DRAM整体产能供应仍然偏向节制谨慎,未来供应商将会持续减产成熟制程,并转向先进制程技术。

　　整体而言,从行业周期角度看,海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善,主流存储价格自2023Q3起持续回暖,并在Q4带动利基存储价格触底回升,去年8月末起,晶圆端涨价已开始传导至模组端。

　　展望后续,中信证券预计12月部分紧缺且对应下游需求复苏较早的产品涨价将持续(如移动存储),库存持续去化的下游环节如传统服务器内存的价格涨势或将相对放缓。随着各原厂持续减产DDR4、行业库存去化、下游服务器市场复苏,预计2024年主流DRAM价格有望持续回升。